腦電性能測(cè)試儀SEEG100

概述

依據(jù)最新的 EEG 國(guó)際法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) IEC 80601-2-26:2019 所設(shè)計(jì)

精密電路設(shè)計(jì)，可輸出 1µV 微小訊號(hào)

9 信道自動(dòng)切換開關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試

內(nèi)建 620kΩ / 4.7nF 輸出阻抗測(cè)試的 EEG 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路

可做為 EEG 訊號(hào)播放器，可播放 PhysioNet EDF、text、binary 格式的波形訊號(hào)

IEC 80601-2-26 小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間

提供軟件開發(fā)工具包（Software Development Kit，SDK），用戶可自行開發(fā)客制或全自動(dòng)化測(cè)試軟件

規(guī)格

參數(shù)規(guī)格

主輸出電壓精確度50 µVpp 或更高的振幅，精細(xì)度需在 ±1％ 內(nèi)

主輸出電壓分辨率（DAC 分辨率）0.5µV

頻率/脈沖精確度±1%

脈沖間期/時(shí)間精確度±1ms

電阻精確度±1%

電容精確度±5%

精密 500:1 分壓器±0.2%

取樣率5kHz ± 0.1%

直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無噪聲偏移）150mV ± 1%

直流偏移（細(xì)調(diào)，最多可包含 50μVpp 噪聲）設(shè)定 ±1% 或 ±3mV

電源供應(yīng)USB +5V 直流電源（不需要再外加其他電源）0.5A（高功率模式）

環(huán)境15 ~ 30°C（理論值）

30 ~ 80% RH（理論值）

安全性

電磁兼容性（EMC）沒有適用的安全標(biāo)準(zhǔn)（最大內(nèi)部電壓 12Vdc） 尚未進(jìn)行 EMC 測(cè)試。 符合 CE 標(biāo)志，并有作 USB IC 的保護(hù)，及特殊的濾波器，以減少來自微處理器（8MHz）和 DC / DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。

腦電性能測(cè)試儀SEEG100